MJD45H11T4G
制造商: ON Semiconductor
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
晶体管极性: PNP
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 80 V
集电极—基极电压 VCBO: 5 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V
集电极—射极饱和电压: 1 V
最大直流电集电极电流: 8 A
Pd-功率耗散: 20 W
增益带宽产品fT: 90 MHz
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
系列: MJD45H11
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 2.38 mm
长度: 6.73 mm
技术: Si
宽度: 6.22 mm
商标: ON Semiconductor
集电极连续电流: 8 A
直流集电极/Base Gain hfe Min: 60
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量: 2500
子类别: Transistors
单位重量: 351 mg
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