IXFH24N90P?
制造商:IXYS
产品种类:MOSFET
技术:Si
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-247-3
晶体管极性:N-Channel
通道数量:1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:900 V
Id-连续漏极电流:24 A
Rds On-漏源导通电阻:420 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:30 V
Vgs th-栅源极阈值电压:6.5 V
Qg-栅极电荷:130 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:660 W
通道模式:Enhancement
商标名:HiPerFET
封装:Tube
配置:Single
高度:21.46 mm
长度:16.26 mm
系列:IXFH24N90
晶体管类型:1 N-Channel
宽度:5.3 mm
商标:IXYS
正向跨导 - 最小值:16 S
下降时间:38 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:40 ns
工厂包装数量:30
典型关闭延迟时间:68 ns
典型接通延迟时间:46 ns
单位重量:6.500 g
深圳市博达晶芯科技有限公司介绍：
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