STW3N150
制造商:STMicroelectronics
产品种类:MOSFET
技术:Si
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-247-3
晶体管极性:N-Channel
通道数量:1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:1.5 kV
Id-连续漏极电流:2.5 A
Rds On-漏源导通电阻:9 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压:10 V
Vgs th-栅源极阈值电压:3 V
Qg-栅极电荷:29.3 nC
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:140 W
通道模式:Enhancement
商标名:PowerMESH
封装:Tube
配置:Single
高度:20.15 mm
长度:15.75 mm
系列:STW3N150
晶体管类型:1 N-Channel Power MOSFET
宽度:5.15 mm
商标:STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值:2.6 S
下降时间:61 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:47 ns
工厂包装数量:600
典型关闭延迟时间:45 ns
典型接通延迟时间:24 ns
单位重量:38 g
深圳市博达晶芯科技有限公司介绍:
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