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STW3N150您身边可信赖的电子元器件供货商 只做原装 假一赔十

发布时间2020-6-20 16:12:00关键词:STW3N150
摘要

STW3N150您身边可信赖的电子元器件供货商 只做原装 假一赔十

STW3N150

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-247-3

晶体管极性:N-Channel

通道数量:1 Channel

Vds-漏源极击穿电压:1.5 kV

Id-连续漏极电流:2.5 A

Rds On-漏源导通电阻:9 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Vgs th-栅源极阈值电压:3 V

Qg-栅极电荷:29.3 nC

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:140 W

通道模式:Enhancement

商标名:PowerMESH

封装:Tube

配置:Single

高度:20.15 mm

长度:15.75 mm

系列:STW3N150

晶体管类型:1 N-Channel Power MOSFET

宽度:5.15 mm

商标:STMicroelectronics

正向跨导 - 最小值:2.6 S

下降时间:61 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:47 ns

工厂包装数量:600

典型关闭延迟时间:45 ns

典型接通延迟时间:24 ns

单位重量:38 g

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