BSS123W-7-F
制造商:Diodes Incorporated
产品种类:MOSFET
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:SOT-323-3
晶体管极性:N-Channel
通道数量:1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:100 V
Id-连续漏极电流:170 mA
Rds On-漏源导通电阻:6 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压:20 V
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:200 mW
通道模式:Enhancement
封装:Cut Tape
封装:MouseReel
封装:Reel
配置:Single
高度:1 mm
长度:2.2 mm
产品:MOSFET Small Signal
系列:BSS123W
晶体管类型:1 N-Channel
类型:Enhancement Mode Field Effect Transistor
宽度:1.35 mm
商标:Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值:0.08 S， 0.37 S
下降时间:8 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:8 ns
工厂包装数量:3000
典型关闭延迟时间:13 ns
典型接通延迟时间:8 ns
单位重量:5 mg
深圳市博达晶芯科技有限公司介绍：
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